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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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NTD4969NT4G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK

未分类
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￥3.297914

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￥2.74126

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￥2.510195

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￥2.216114

+500：

￥2.079576

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Ta），41A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 837 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.38W（Ta），26.3W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

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NTD4969NT4G
UDU SEMICONDUTOR
授权代理品牌

NTD4969NT4G UDU SEMICONDUTOR

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￥3.769068

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￥1.002556

+1000：

￥0.74496

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
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NTD4969NT4G
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌

NTD4969NT4G JSMICRO/深圳杰盛微

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未分类
+2500：

￥0.863218

+7500：

￥0.840769

+12500：

￥0.818213

+30000：

￥0.788174

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
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NTD4969NT4G
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

NTD4969NT4G VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
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￥1.501304

+2500：

￥1.413717

+7500：

￥1.376196

+17500：

￥1.313694

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTD4969NT4G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTD4969NT4G
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Ta），41A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 837 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.38W（Ta），26.3W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTD4969NT4G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTD4969NT4G
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Ta），41A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 837 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.38W（Ta），26.3W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

NTD4969NT4G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTD4969NT4G
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

NTD4969NT4G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTD4969NT4G
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

NTD4969NT4G_未分类
NTD4969NT4G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK

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未分类
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 9.4A (Ta), 41A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9mOhm @ 30A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： DPAK

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 9 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 837 pF @ 15 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTD4969NT4G_未分类
NTD4969NT4G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK

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未分类
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 2500

NTD4969NT4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.4A（Ta），41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 837 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.38W（Ta），26.3W（Tc）
工作温度: -55°C # 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度: -55°C # 175°C（TJ）