品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 224mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 100mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15.8 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 120mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 3-XLLGA（0.62x0.62）

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 224mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 100mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15.8 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 120mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 3-XLLGA（0.62x0.62）

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 224mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 100mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15.8 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 120mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 3-XLLGA（0.62x0.62）

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： XLLGA-3

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 224 mA

Rds On-漏源导通电阻： 650 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 400 mV

Qg-栅极电荷： 700 pC

Pd-功率耗散： 139 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

开发套件： -

下降时间： 110 ns

正向跨导 - 最小值： 560 mS

产品类型： MOSFET

上升时间： 35 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 201 ns

典型接通延迟时间： 18 ns

单位重量： 2.600 mg

温度： - 55 C~+ 150 C