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自营 现货库存
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NVMFS5C628NT1G_未分类
NVMFS5C628NT1G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

未分类

+1:

¥13.580263

+200:

¥5.261958

+500:

¥5.072906

+1000:

¥4.978379

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A(Ta),150A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 27A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 135µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2630 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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NVMFS5C628NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1500:

¥11.179497

+3000:

¥10.620542

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A(Ta),150A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 27A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 135µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2630 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFS5C628NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1500:

¥19.318133

+3000:

¥18.352262

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A(Ta),150A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 27A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 135µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2630 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMFS5C628NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥36.520478

+10:

¥32.844404

+100:

¥26.907425

+500:

¥22.90579

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

NVMFS5C628NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥36.520478

+10:

¥32.844404

+100:

¥26.907425

+500:

¥22.90579

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFS5C628NT1G_未分类
NVMFS5C628NT1G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

未分类

+1:

¥48.507954

+10:

¥43.293743

+100:

¥35.393426

+500:

¥30.495228

+1000:

¥25.913043

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 1500

NVMFS5C628NT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A(Ta),150A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 27A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 135µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2630 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),110W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线
温度: -55°C # 175°C(TJ)