品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SO-8FL-4

系列： NVMFS5826NL

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 26 A

Rds On-漏源导通电阻： 18 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 17 nC

Pd-功率耗散： 39 W

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 24 ns

正向跨导 - 最小值： 8 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 32 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 15 ns

典型接通延迟时间： 9 ns

单位重量： 187 mg

温度： - 55 C~+ 175 C