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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFS5C404NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥46.921697

+10:

¥42.277608

+30:

¥39.523936

+100:

¥36.726554

+500:

¥35.437137

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 378A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.7 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 128 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8400 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),200W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFS5C404NT1G_未分类
NVMFS5C404NT1G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL

未分类

+1500:

¥271.549984

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 378A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.7 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 128 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8400 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),200W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMFS5C404NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1500:

¥19.976102

+3000:

¥18.809574

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 378A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.7 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 128 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8400 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),200W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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NVMFS5C404NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1500:

¥48.866838

+3000:

¥46.013202

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 378A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.7 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 128 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8400 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),200W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMFS5C404NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥94.563598

+10:

¥79.36537

+100:

¥64.204005

+500:

¥57.070763

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

NVMFS5C404NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+1:

¥94.563598

+10:

¥79.36537

+100:

¥64.204005

+500:

¥57.070763

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser
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NVMFS5C404NT1G_未分类
NVMFS5C404NT1G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL

未分类

+1:

¥108.099919

+10:

¥97.079238

+25:

¥95.782687

+100:

¥79.575803

+250:

¥79.413734

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

標準包裝數量: 1500

艾睿
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NVMFS5C404NT1G_未分类
NVMFS5C404NT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R

未分类

+1500:

¥42.830058

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NVMFS5C404NT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 378A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.7 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 128 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8400 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),200W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线
温度: -55°C # 175°C(TJ)