NTD4804NT4G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 NTD4804NT4G 共 17 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD4804NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.567051 +10：￥7.04462 +30：￥5.870557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，11.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4490 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.43W（Ta），107W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD4804NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.325961 +10：￥10.533888 +30：￥9.408379 +100：￥8.261016 +500：￥7.747434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，11.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4490 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.43W（Ta），107W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NTD4804NT4G UMW(友台半导体) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥1.317064 +50：￥1.154575 +150：￥1.084969 +500：￥0.998097 +2500：￥0.912973	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD4804NT4G 授权代理品牌	NTD4804NT4G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.844285	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTD4804NT4G UMW(友台半导体) 授权代理品牌	NTD4804NT4G UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥1.145933	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTD4804NT4G 授权代理品牌	NTD4804NT4G BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥3.313933 +500：￥3.05914 +2000：￥2.804231 +6000：￥2.549322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD4804NT4G UMW(友台半导体) 授权代理品牌	下载数据手册	+2500：￥1.2888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-252

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD4804NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.39525 +10：￥2.54475 +30：￥2.3895 +100：￥2.23425 +500：￥2.16	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，11.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4490 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.43W（Ta），107W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD4804NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.5A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，11.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4490 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.43W（Ta），107W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NTD4804NT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

NTD4804NT4G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14.5A（Ta），124A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，11.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4490 pF 12 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.43W（Ta），107W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）