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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDT2955 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.674035 +20000：￥1.506692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 601 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDT2955 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.582214 +10：￥4.744894 +30：￥3.907574 +100：￥3.488914 +500：￥3.209767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 601 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDT2955 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥4.961605 +100：￥3.35533 +1000：￥2.462955 +4000：￥1.78475 +8000：￥1.695573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 601 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT2955 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.1941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 601 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDT2955 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NDT2955 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥2.286737 +500：￥2.197464 +1000：￥2.161734 +3000：￥2.126003 +10000：￥2.036625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NDT2955 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NDT2955 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.232747 +150：￥1.211246 +500：￥1.1791 +13800：￥1.157704 +19700：￥1.082659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NDT2955 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 601 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDT2955 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NDT2955 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥1.232747 +7500：￥1.200494 +12500：￥1.168348 +20000：￥1.125557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NDT2955 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NDT2955 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+200：￥2.286737 +500：￥2.197464 +1000：￥2.161734 +3000：￥2.126003 +10000：￥2.036625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT2955 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.574288 +8000：￥1.491425 +12000：￥1.380919 +28000：￥1.367285	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 601 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NDT2955参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	300 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	601 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDT2955 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.674035 +20000：￥1.506692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 601 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDT2955 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.582214 +10：￥4.744894 +30：￥3.907574 +100：￥3.488914 +500：￥3.209767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 601 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDT2955 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥4.961605 +100：￥3.35533 +1000：￥2.462955 +4000：￥1.78475 +8000：￥1.695573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 601 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）