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	NTMFS4C03NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.970586 +10：￥9.324986 +30：￥7.679386 +100：￥6.856586 +500：￥6.308093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta），136A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NTMFS4C03NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥8.075253 +10：￥6.447089 +30：￥5.430853 +100：￥4.392763 +500：￥3.92289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta），136A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTMFS4C03NT1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥2.332535 +50：￥1.87359 +150：￥1.676899 +500：￥1.431472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	NTMFS4C03NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.395538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta），136A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTMFS4C03NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.917215 +200：￥2.486115 +500：￥2.25598 +800：￥2.032326 +1000：￥1.662813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta），136A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTMFS4C03NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥5.713806 +3000：￥5.618533 +6000：￥5.523376 +12000：￥5.428104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta），136A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS4C03NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥2.885476 +3000：￥2.757959	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta），136A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS4C03NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥7.058639 +3000：￥6.746698	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Ta），136A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3071 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTMFS4C03NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.95913 +10：￥14.12064 +100：￥9.887508 +500：￥7.99568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NTMFS4C03NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.95913 +10：￥14.12064 +100：￥9.887508 +500：￥7.99568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

NTMFS4C03NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Ta），136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.1 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3071 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），64W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）