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NVS4001NT1G_未分类
NVS4001NT1G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 0.27A SC70

未分类

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¥2.163599

+10:

¥1.9232

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¥1.87949

+100:

¥1.726509

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 10mA,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.3 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 33 pF 5 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 330mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NVS4001NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥0.817113

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 10mA,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.3 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 33 pF 5 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 330mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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NVS4001NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥0.622725

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¥0.588125

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¥0.536225

+30000:

¥0.501626

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¥0.449726

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 10mA,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.3 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 33 pF 5 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 330mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NVS4001NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.076065

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¥1.016278

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¥0.926596

+30000:

¥0.866807

+75000:

¥0.777125

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 10mA,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.3 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 33 pF 5 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 330mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NVS4001NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥4.841142

+10:

¥3.64296

+100:

¥2.271707

+500:

¥1.55425

+1000:

¥1.195642

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SC-70-3 (SOT323)

NVS4001NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥4.841142

+10:

¥3.64296

+100:

¥2.271707

+500:

¥1.55425

+1000:

¥1.195642

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SC-70-3 (SOT323)

Mouser
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NVS4001NT1G_未分类
NVS4001NT1G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 0.27A SC70

未分类

+1:

¥6.367361

+10:

¥4.79144

+100:

¥2.99266

+500:

¥2.053475

+1000:

¥1.575922

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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NVS4001NT1G_未分类
NVS4001NT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A Automotive 3-Pin SC-70 T/R

未分类

+3000:

¥1.036411

+6000:

¥0.905451

+15000:

¥0.839268

+30000:

¥0.83082

+75000:

¥0.822371

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NVS4001NT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.3 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 33 pF 5 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 330mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)
封装/外壳: SC-70,SOT-323
温度: -55°C # 150°C(TJ)