NTE4153NT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTE4153NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFET SC75A N-Channel ID=850mA 下载数据手册未分类	+1：￥0.631071 +10：￥0.607698 +100：￥0.551603 +500：￥0.523555	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.441957 +200：￥1.078352 +800：￥0.83611 +3000：￥0.605847 +15000：￥0.545226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.559116 +10：￥4.689178 +30：￥4.254209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTE4153NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTE4153NT1G 下载数据手册未分类	+1：￥0.906611 +10：￥0.719554 +30：￥0.639417 +100：￥0.53943 +500：￥0.494897	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.094566	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTE4153NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： SC75-3 FET类型： N-Channel 栅极电压Vgs： ±12V 漏源极电压Vds： 20V 连续漏极电流Id： 0.75A Rds OnMax@Id,Vgs： 270mΩ@4.5V Pd-功率耗散Max： 0.5W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.500479 +6000：￥0.489324 +9000：￥0.433371 +30000：￥0.427823 +75000：￥0.363518	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.224303 +6000：￥1.197016 +9000：￥1.06014 +30000：￥1.046567 +75000：￥0.889261	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.57216 +10：￥3.929088 +100：￥1.983117 +500：￥1.757946 +1000：￥1.368038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： SC-89-3
NTE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.57216 +10：￥3.929088 +100：￥1.983117 +500：￥1.757946 +1000：￥1.368038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： SC-89-3

NTE4153NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	915mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	230 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.82 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	110 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300mW（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-89-3
封装/外壳:	SC-89，SOT-490
温度:	-55°C # 150°C（TJ）