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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJF4156NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.188438 +10：￥4.348205 +30：￥3.928088 +100：￥3.518475 +500：￥3.266405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 427 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 710mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJF4156NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.281656 +6000：￥1.216475 +9000：￥1.129568 +30000：￥1.103519	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 427 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 710mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTLJF4156NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.135269 +6000：￥2.97582 +9000：￥2.76322 +30000：￥2.699498	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 427 pF 15 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 710mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTLJF4156NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.286933 +10：￥7.943901 +100：￥5.526441 +500：￥4.314853 +1000：￥3.507318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-WDFN (2x2)
NTLJF4156NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.286933 +10：￥7.943901 +100：￥5.526441 +500：￥4.314853 +1000：￥3.507318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-WDFN (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJF4156NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN 下载数据手册未分类	+1：￥9.958657 +10：￥8.527976 +100：￥6.367929 +500：￥5.007382 +1000：￥3.871252	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTLJF4156NT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥8.515823 +10：￥7.284559 +25：￥7.212945 +100：￥5.487918 +250：￥5.436407	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTLJF4156NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	427 pF 15 V
FET 功能:	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）:	710mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-WDFN（2x2）
封装/外壳:	6-WDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）