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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDT451AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.686841 +10：￥8.905721 +30：￥7.12448 +100：￥5.937107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）
NDT451AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.686841 +10：￥8.905721 +30：￥7.12448 +100：￥5.937107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）
NDT451AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.686841 +10：￥8.905721 +30：￥7.12448 +100：￥5.937107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT451AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.194493 +10：￥6.070682 +30：￥5.503525 +100：￥4.946871 +500：￥4.610777	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）
	NDT451AN VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NDT451AN 下载数据手册未分类	+1：￥2.315892 +10：￥1.904808 +30：￥1.728569 +100：￥1.508743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDT451AN VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NDT451AN VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥1.298516 +50：￥1.275328 +500：￥1.25214 +2500：￥1.19417	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NDT451AN 授权代理品牌	NDT451AN VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+16：￥0.512249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NDT451AN 授权代理品牌	NDT451AN VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.122433 +25：￥1.094419 +50：￥1.066289 +100：￥1.038274 +150：￥1.019521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDT451AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.305093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）
	NDT451AN ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.305093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT451AN参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	720 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta）
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-65°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDT451AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.686841 +10：￥8.905721 +30：￥7.12448 +100：￥5.937107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）
NDT451AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.686841 +10：￥8.905721 +30：￥7.12448 +100：￥5.937107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）
NDT451AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.686841 +10：￥8.905721 +30：￥7.12448 +100：￥5.937107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -65°C # 150°C（TJ）