NVTR0202PLT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR0202PLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.679973 +10：￥2.453275 +30：￥2.044416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 225mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR0202PLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23 下载数据手册	+1：￥5.135817 +10：￥4.272563 +30：￥3.846399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 225mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR0202PLT1G 授权代理品牌	NVTR0202PLT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+40：￥0.274936 +100：￥0.267875 +300：￥0.258497 +3000：￥0.256182	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR0202PLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.49363 +6000：￥0.466183 +15000：￥0.425072 +30000：￥0.397625 +75000：￥0.356513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 225mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVTR0202PLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.207549 +6000：￥1.140407 +15000：￥1.039839 +30000：￥0.972696 +75000：￥0.872126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 225mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NVTR0202PLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.498719 +10：￥4.095098 +100：￥2.549671 +500：￥1.744253 +1000：￥1.341688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
NVTR0202PLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.498719 +10：￥4.095098 +100：￥2.549671 +500：￥1.744253 +1000：￥1.341688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR0202PLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥6.285835 +10：￥4.185043 +100：￥2.001542 +1000：￥1.538376 +3000：￥1.257168	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

NVTR0202PLT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	800 毫欧 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	70 pF 5 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	225mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）