品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A (Tj)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80mOhm 3.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 10 V

FET 功能： Schottky Diode (Isolated)

功率耗散（最大值）： 1.1W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： ChipFET™

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A (Tj)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80mOhm 3.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.4 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 10 V

FET 功能： Schottky Diode (Isolated)

功率耗散（最大值）： 1.1W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： ChipFET™

封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： ChipFET-8

系列： NTHD3101F

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 4.4 A

Rds On-漏源导通电阻： 64 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V

Qg-栅极电荷： 7.4 nC

Pd-功率耗散： 1.1 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 12.4 ns

正向跨导 - 最小值： 8 S

高度： 1.05 mm

长度： 3.05 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 11.7 ns

晶体管类型： 1 P-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 16 ns

典型接通延迟时间： 5.8 ns

宽度： 1.65 mm

单位重量： 85 mg

温度： - 55 C~+ 150 C