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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTR4101PT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR4101PT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥0.469302

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￥0.461066

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￥0.444606

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR4101PT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR4101PT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOS场效应管 NTR4101PT1G TR4M SOT-23

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晶体管-FET，MOSFET-单个
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￥1.19548

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￥0.807917

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￥0.592295

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￥0.431123

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￥0.409464

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR4101PT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR4101PT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥0.489808

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￥0.451814

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR4101PT1G_未分类
NTR4101PT1G
VBsemi(台湾微碧)
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NTR4101PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体

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￥0.512596

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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NTR4101PT1G
UDU SEMICONDUTOR
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NTR4101PT1G UDU SEMICONDUTOR

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￥0.200038

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￥0.187535

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￥0.175033

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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NTR4101PT1G
JSMSEMI(杰盛微)
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NTR4101PT1G JSMICRO/深圳杰盛微

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￥0.217749

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￥0.20872

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￥0.205131

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￥0.199575

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￥0.190546

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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NTR4101PT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR4101PT1G
ON(安森美)
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MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTR4101PT1G_未分类
NTR4101PT1G
MSKSEMI(美森科)
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NTR4101PT1G MSKSEMI/台湾美森科

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￥0.325177

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NTR4101PT1G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR4101PT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 1.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTR4101PT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 85 毫欧 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 675 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 420mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）