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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3139PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 NTK3139PT1G SOT-723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.07448 +100：￥0.803198 +1000：￥0.622303 +4000：￥0.452298 +8000：￥0.429671	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NTK3139PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册未分类	+5：￥1.139605 +50：￥0.901063 +150：￥0.798784 +500：￥0.671153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTK3139PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.91729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTK3139PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册未分类	+1：￥8.971563	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3139PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥0.647066 +8000：￥0.611112 +12000：￥0.557181 +28000：￥0.521282 +100000：￥0.460138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTK3139PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.530323 +8000：￥1.393401 +12000：￥1.323639 +20000：￥1.245157 +28000：￥1.198648	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTK3139PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.190359 +10：￥4.467201 +100：￥2.824128 +500：￥2.11519 +1000：￥1.886018	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： SOT-723
NTK3139PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.190359 +10：￥4.467201 +100：￥2.824128 +500：￥2.11519 +1000：￥1.886018	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： SOT-723

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3139PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册未分类	+1：￥7.349786 +10：￥4.605867 +100：￥2.351934 +1000：￥1.665952 +4000：￥1.355628	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SOT-723-3 系列： NTK3139P 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： P-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 20 V Id-连续漏极电流： 780 mA Rds On-漏源导通电阻： 380 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 6 V, + 6 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V Qg-栅极电荷： - Pd-功率耗散： 310 mW 通道模式： Enhancement 商标： onsemi 配置： Single 下降时间： 5.8 ns 正向跨导 - 最小值： 1.2 S 高度： 0.5 mm 长度： 1.2 mm 产品： MOSFET Small Signal 产品类型： MOSFET 上升时间： 5.8 ns 晶体管类型： 1 P-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 32.7 ns 典型接通延迟时间： 9 ns 宽度： 0.8 mm 单位重量： 1.275 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3139PT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-723 T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥1.104368 +8000：￥1.003857 +24000：￥1.001344 +48000：￥0.977473	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTK3139PT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	660mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	480 毫欧 780mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	170 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-723
封装/外壳:	SOT-723
温度:	-55°C # 150°C（TJ）