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NTMS5P02R2G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

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￥4.032163

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￥3.300036

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￥2.928508

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 790mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTMS5P02R2G
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

NTMS5P02R2G VBSEMI/台湾微碧半导体

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￥1.569161

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￥1.530843

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￥1.492526

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￥1.44159

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￥1.403274

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NTMS5P02R2G
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

NTMS5P02R2G VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
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￥1.377806

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￥1.297466

+12000：

￥1.240048

+24000：

￥1.205551

库存： 1000 +

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NTMS5P02R2G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTMS5P02R2G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥2.915826

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￥2.875193

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 790mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTMS5P02R2G
授权代理品牌

NTMS5P02R2G BYCHIP/百域芯

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￥1.282185

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￥1.183556

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￥1.084926

+6000：

￥0.986297

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NTMS5P02R2G
授权代理品牌

NTMS5P02R2G UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体

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￥0.902948

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￥0.853286

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￥0.805013

库存： 1000 +

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NTMS5P02R2G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTMS5P02R2G
ON(安森美)
授权代理品牌
+2500：

￥3.05613

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￥3.005195

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￥2.928791

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￥2.877856

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 790mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTMS5P02R2G
授权代理品牌

NTMS5P02R2G VBSEMI/微碧半导体

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￥1.326638

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￥1.293531

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￥1.227198

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￥1.193975

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 790mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTMS5P02R2G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTMS5P02R2G
ON(安森美)
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￥2.641125

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￥2.399258

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￥2.394712

库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 790mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTMS5P02R2G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.95A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 5.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1900 pF 16 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 790mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度: -55°C # 150°C（TJ）