NTA4153NT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.546355 +20：￥0.536763 +100：￥0.517602	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.446555 +200：￥0.978043 +800：￥0.71995 +3000：￥0.521873 +6000：￥0.495616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册未分类	+5：￥0.771246 +50：￥0.627662 +150：￥0.55587 +500：￥0.501998 +3000：￥0.409226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.659571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.765769 +50：￥0.612268 +150：￥0.51005 +500：￥0.456336 +3000：￥0.413273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.347288 +3000：￥0.338953 +6000：￥0.333396 +24000：￥0.327839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.677905 +200：￥0.437004 +1500：￥0.379586 +3000：￥0.336174 +45000：￥0.332007	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4153NT1G 授权代理品牌	NTA4153NT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.478215	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.396246 +6000：￥0.361224 +9000：￥0.343214 +15000：￥0.322826 +21000：￥0.310631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.764626 +6000：￥0.693948	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTA4153NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	915mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	230 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.82 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	110 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300mW（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-75，SOT-416
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.765769 +50：￥0.612268 +150：￥0.51005 +500：￥0.456336 +3000：￥0.413273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.347288 +3000：￥0.338953 +6000：￥0.333396 +24000：￥0.327839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.677905 +200：￥0.437004 +1500：￥0.379586 +3000：￥0.336174 +45000：￥0.332007	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA4153NT1G 授权代理品牌	NTA4153NT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.478215	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数