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NTA4153NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥0.536763

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¥0.517602

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 915mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.82 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300mW(Tj)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-75,SOT-416

封装/外壳: SC-75,SOT-416

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NTA4153NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
NTA4153NT1G
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¥0.521873

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¥0.495616

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 915mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.82 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300mW(Tj)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-75,SOT-416

封装/外壳: SC-75,SOT-416

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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NTA4153NT1G_未分类
NTA4153NT1G
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MOSFET N-CH 20V 915MA SC75

未分类

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¥0.627662

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¥0.55587

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¥0.501998

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¥0.409226

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 915mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.82 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300mW(Tj)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-75,SOT-416

封装/外壳: SC-75,SOT-416

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NTA4153NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥0.659571

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 915mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.82 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300mW(Tj)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-75,SOT-416

封装/外壳: SC-75,SOT-416

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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¥0.396246

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¥0.343214

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¥0.322826

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¥0.310631

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 915mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.82 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300mW(Tj)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-75,SOT-416

封装/外壳: SC-75,SOT-416

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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¥0.795682

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 915mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.82 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300mW(Tj)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SC-75,SOT-416

封装/外壳: SC-75,SOT-416

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTA4153NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.354522

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¥2.998532

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¥2.028599

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¥1.508753

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¥1.338172

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: SC-75, SOT-416

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¥5.354522

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¥2.998532

+100:

¥2.028599

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¥1.508753

+1000:

¥1.338172

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: SC-75, SOT-416

Mouser
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NTA4153NT1G_未分类
NTA4153NT1G
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MOSFET N-CH 20V 915MA SC75

未分类

+1:

¥5.600753

+10:

¥4.207396

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¥2.390566

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¥1.584603

+1000:

¥1.215773

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货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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NTA4153NT1G_未分类
NTA4153NT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 T/R

未分类

+3000:

¥0.62694

+6000:

¥0.620658

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¥0.547787

库存: 0

货期:7~10 天

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NTA4153NT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 915mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.82 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110 pF 16 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300mW(Tj)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-75,SOT-416
封装/外壳: SC-75,SOT-416
温度: -55°C # 150°C(TJ)