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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3139PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3139PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.915486	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3139PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.696214	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTK3139PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥1.203055	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 660mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 480 毫欧 780mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-723 封装/外壳： SOT-723 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTK3139PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.918795 +10：￥4.474609 +100：￥2.791303 +500：￥1.909403 +1000：￥1.468808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： SOT-723
NTK3139PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.918795 +10：￥4.474609 +100：￥2.791303 +500：￥1.909403 +1000：￥1.468808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： SOT-723

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3139PT5G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 下载数据手册未分类	+1：￥7.129285 +10：￥5.497471 +100：￥3.422058 +1000：￥1.790244 +2500：￥1.615972	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 8000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTK3139PT5G 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-723 T/R 下载数据手册未分类	+8000：￥0.925129 +24000：￥0.86388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTK3139PT5G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	660mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	480 毫欧 780mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	170 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-723
封装/外壳:	SOT-723
温度:	-55°C # 150°C（TJ）