品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Ta），21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），33W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Ta），21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），33W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Ta），21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 40 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），33W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.7A (Ta), 21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 32mOhm @ 5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.5W (Ta), 33W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 20µA

Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6.9 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 370 pF @ 40 V

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SO-8FL-4

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 80 V

Id-连续漏极电流： 23 A

Rds On-漏源导通电阻： 32 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 6.9 nC

Pd-功率耗散： 33 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 13 ns

正向跨导 - 最小值： 21.8 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 18 ns

典型关闭延迟时间： 16 ns

典型接通延迟时间： 7 ns

单位重量： 750 mg

温度： - 55 C~+ 175 C