品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 10A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta），74W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 10A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta），74W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 10A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta），74W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 10A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.75W（Ta），74W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 27mOhm @ 10A, 5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.75W (Ta), 74W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA

Supplier Device Package： DPAK

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 5V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18.9 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1260 pF @ 25 V