NTHS4101PT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.744186 +10：￥7.432546 +30：￥6.120906 +100：￥5.465086 +500：￥5.027913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 4.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.315962 +10：￥5.277871 +30：￥4.709653 +100：￥4.064944 +500：￥3.08149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 4.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.043578	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 4.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.581679 +6000：￥2.452577 +15000：￥2.360405	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 4.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTHS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.315472 +6000：￥5.999655 +15000：￥5.774174	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 34 毫欧 4.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2100 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTHS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.83993 +10：￥13.312714 +100：￥10.374985 +500：￥8.570852 +1000：￥6.766576	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： ChipFET™
NTHS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.83993 +10：￥13.312714 +100：￥10.374985 +500：￥8.570852 +1000：￥6.766576	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： ChipFET™

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET 下载数据手册未分类	+1：￥16.964194 +10：￥13.966638 +100：￥11.232602 +500：￥9.355013 +1000：￥7.477422	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS4101PT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R 下载数据手册未分类	+1：￥10.035714 +10：￥9.181576 +25：￥9.172137 +100：￥8.21733 +250：￥8.121377	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS4101PT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥3.331726 +6000：￥3.041754 +15000：￥3.012164	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTHS4101PT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.8A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	34 毫欧 4.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2100 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	ChipFET™
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）