NTA7002NT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 NTA7002NT1G 共 41 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 NTA7002NT1G T6M SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.455323 +100：￥0.340494 +800：￥0.264022 +3000：￥0.191301 +15000：￥0.172183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.17787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30000：￥0.2999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTA7002NT1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.32182 +9000：￥0.316148 +15000：￥0.307697 +81000：￥0.293689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.562838 +50：￥0.384679 +1500：￥0.346246 +3000：￥0.310128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.6506 +15000：￥0.6506 +75000：￥0.6506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.447518	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥0.68913 +100：￥0.554028 +200：￥0.522983 +500：￥0.487643 +1000：￥0.428743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.312293 +27000：￥0.276953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.298561 +6000：￥0.271043 +9000：￥0.256847 +15000：￥0.240775 +21000：￥0.231206	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTA7002NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	154mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 欧姆 154mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	20 pF 5 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300mW（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-75，SOT-416
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30000：￥0.2999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTA7002NT1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.32182 +9000：￥0.316148 +15000：￥0.307697 +81000：￥0.293689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.562838 +50：￥0.384679 +1500：￥0.346246 +3000：￥0.310128	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.6506 +15000：￥0.6506 +75000：￥0.6506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.447518	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥0.68913 +100：￥0.554028 +200：￥0.522983 +500：￥0.487643 +1000：￥0.428743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTA7002NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.312293 +27000：￥0.276953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 154mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 154mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-75，SOT-416 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： -55°C # 150°C（TJ）