品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 45 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 15mA, 150mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 50mA, 1V

功率 - 最大值： 400 mW

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 45 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 15mA，150mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 50mA，1V

功率 - 最大值： 400 mW

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 45 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 15mA，150mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 50mA，1V

功率 - 最大值： 400 mW

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）