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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSC1008OBU_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

双极性晶体管

+1:

¥126.530129

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 700 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 50mA,2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 50MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92-3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSC1008OBU_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 700 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 50mA,2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 50MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92-3

温度: 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSC1008OBU_晶体管
KSC1008OBU
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Bulk

封装/外壳: TO-92-3

系列: KSC1008

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: Through Hole

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V

集电极—基极电压 VCBO: 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 8 V

集电极—射极饱和电压: 200 mV

最大直流电集电极电流: 700 mA

Pd-功率耗散: 800 mW

增益带宽产品fT: 50 MHz

商标: onsemi / Fairchild

集电极连续电流: 0.7 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 40

直流电流增益 hFE 最大值: 400

高度: 4.7 mm

长度: 4.7 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

宽度: 3.93 mm

单位重量: 179 mg

温度: -~+ 150 C

KSC1008OBU参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 700 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 50mA,2V
功率 - 最大值: 800 mW
频率 - 跃迁: 50MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装: TO-92-3
温度: 150°C(TJ)