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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSC945GBU_双极性晶体管
KSC945GBU
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

双极性晶体管

+1:

¥1.12267

+200:

¥0.434459

+500:

¥0.41919

+1000:

¥0.411646

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 1mA,6V

功率 - 最大值: 250 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92-3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSC945GBU_双极性晶体管

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

双极性晶体管

+5323:

¥0.747643

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 1mA, 6V

功率 - 最大值: 250 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92-3

温度: 150°C (TJ)

KSC945GBU_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 1mA,6V

功率 - 最大值: 250 mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92-3

温度: 150°C(TJ)

KSC945GBU参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 1mA,6V
功率 - 最大值: 250 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装: TO-92-3
温度: 150°C(TJ)