品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20V

频率 - 跃迁： 600MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 3dB # 5dB 100MHz

增益： -

功率 - 最大值： 250mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20V

频率 - 跃迁： 600MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 3dB # 5dB 100MHz

增益： -

功率 - 最大值： 250mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Gain： -

Power - Max： 250mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 20mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 20V

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 120 @ 1mA, 6V

Frequency - Transition： 600MHz

Noise Figure (dB Typ @ f)： 3dB # 5dB @ 100MHz

Supplier Device Package： TO-92-3

Part Status： Active