品牌： onsemi

包装： 带盒（TB）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500µA，3V

功率 - 最大值： 250 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 带盒（TB）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500µA，3V

功率 - 最大值： 250 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 带盒（TB）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 2mA，20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500µA，3V

功率 - 最大值： 250 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 2mA, 20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500µA, 3V

功率 - 最大值： 250 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C (TJ)