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KST10MTF_晶体管射频
KST10MTF
ON(安森美)
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RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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晶体管射频
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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -

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KST10MTF
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RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

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KST10MTF
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RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

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安装类型： 表面贴装型

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晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

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自营 国内现货
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晶体管射频
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国内：1~2 天

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

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晶体管射频
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￥0.564583

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￥0.490955

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￥0.417327

+30000：

￥0.392735

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￥0.368145

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25V

频率 - 跃迁： 650MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 350mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 4mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -

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RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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晶体管射频
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￥2.632696

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￥1.398801

+250：

￥1.079696

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

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RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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晶体管射频
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￥3.182381

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￥2.632696

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￥2.210308

+100：

￥1.398801

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￥1.079696

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货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

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KST10MTF
ON Semiconductor
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RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

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￥13.833011

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货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -

Gain： -

Power - Max： 350mW

Current - Collector (Ic) (Max)： -

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 25V

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 60 @ 4mA, 10V

Frequency - Transition： 650MHz

Noise Figure (dB Typ @ f)： -

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

KST10MTF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）: 25V
频率 - 跃迁: 650MHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
增益: -
功率 - 最大值: 350mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 60 4mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
温度: -