品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 500mA，10V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： 4MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3截切引线

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 500mA，10V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： 4MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3截切引线

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 500mA，10V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： 4MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3截切引线

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1V @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 10µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 60 @ 500mA, 10V

Frequency - Transition： 4MHz

Supplier Device Package： TO-220-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1.5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 150 V

Power - Max： 25 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： KSC2073

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 150 V

集电极—基极电压 VCBO： 150 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 1 V

最大直流电集电极电流： 1.5 A

Pd-功率耗散： 25 W

增益带宽产品fT： 4 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 1.5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 40

直流电流增益 hFE 最大值： 140

高度： 9.4 mm

长度： 10.1 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 4.7 mm

零件号别名： KSC2073H2TSTU_NL

单位重量： 1.800 g

温度： -~+ 150 C