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自营 现货库存
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KSD1616AGBU_未分类
KSD1616AGBU
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 1A TO-92

未分类
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￥0.735796

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￥0.284744

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￥0.274736

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￥0.269792

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 750 mW

频率 - 跃迁： 160MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

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KSD1616AGBU_双极性晶体管
KSD1616AGBU
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥0.717728

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 750 mW

频率 - 跃迁： 160MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

自营 国内现货
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KSD1616AGBU_双极性晶体管
KSD1616AGBU
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥2.217322

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￥1.331113

+1000：

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+5000：

￥0.739491

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 750 mW

频率 - 跃迁： 160MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

Digi-Key
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KSD1616AGBU_双极性晶体管
KSD1616AGBU
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥3.831523

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￥2.300159

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￥1.448142

+5000：

￥1.277839

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 750 mW

频率 - 跃迁： 160MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

Mouser
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KSD1616AGBU_晶体管
KSD1616AGBU
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 1A TO-92

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晶体管
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： TO-92-3

系列： KSD1616A

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 60 V

集电极—基极电压 VCBO： 120 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 150 mV

最大直流电集电极电流： 1 A

Pd-功率耗散： 750 mW

增益带宽产品fT： 160 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 135

直流电流增益 hFE 最大值： 600

高度： 4.7 mm

长度： 4.7 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 3.93 mm

零件号别名： KSD1616AGBU_NL

单位重量： 179 mg

温度： -~+ 150 C

艾睿
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KSD1616AGBU_未分类
KSD1616AGBU
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

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未分类
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￥1.469348

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
KSD1616AGBU_未分类
KSD1616AGBU
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

下载数据手册

未分类
+10000：

￥1.257409

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
KSD1616AGBU_未分类
KSD1616AGBU
onsemi(安森美)
授权代理品牌

TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-226AA-3

未分类
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￥2.957379

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￥2.014276

+500：

￥1.513618

+1000：

￥1.128227

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￥1.033921

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

KSD1616AGBU参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 100mA，2V
功率 - 最大值: 750 mW
频率 - 跃迁: 160MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装: TO-92-3
温度: 150°C（TJ）