品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 700mV 200mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 300mA, 5V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 155MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 700mV 200mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 300mA, 5V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 155MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 700mV 200mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 300mA, 5V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 155MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-126-3

系列： KSC2690A

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 160 V

集电极—基极电压 VCBO： 160 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 400 mV

最大直流电集电极电流： 1.2 A

Pd-功率耗散： 1.2 W

增益带宽产品fT： 155 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 1.2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 60

直流电流增益 hFE 最大值： 320

高度： 11 mm

长度： 8 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 3.25 mm

单位重量： 761 mg

温度： -~+ 150 C