品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 1A，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 80MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 1A，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 80MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-225AA, TO-126-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 500mV @ 200mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 160 @ 1A, 2V

Frequency - Transition： 80MHz

Supplier Device Package： TO-126-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 3 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 30 V

Power - Max： 1 W