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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSE210STU_双极性晶体管
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.8V 1A,5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 45 2A,1V

功率 - 最大值: 15 W

频率 - 跃迁: 65MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-225AA,TO-126-3

供应商器件封装: TO-126-3

温度: 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSE210STU_晶体管
KSE210STU
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 5A TO-126

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-126-3

系列: KSE210

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: Through Hole

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 25 V

集电极—基极电压 VCBO: - 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO: - 8 V

集电极—射极饱和电压: - 1.8 V

最大直流电集电极电流: - 5 A

Pd-功率耗散: 15 W

增益带宽产品fT: 65 MHz

商标: onsemi / Fairchild

集电极连续电流: - 5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 45

直流电流增益 hFE 最大值: 180

高度: 11 mm

长度: 8 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

宽度: 3.25 mm

单位重量: 761 mg

温度: -~+ 150 C

KSE210STU参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件,管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.8V 1A,5A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 45 2A,1V
功率 - 最大值: 15 W
频率 - 跃迁: 65MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-225AA,TO-126-3
供应商器件封装: TO-126-3
温度: 150°C(TJ)