品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 4 1A，1V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 11MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252AA

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 4 1A，1V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 11MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252AA

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 4 1A，1V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 11MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252AA

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 4 1A，1V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 11MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252AA

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.5V @ 200mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 15 @ 200mA, 1V

Frequency - Transition： 11MHz

Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 750 V

Power - Max： 118.16 W