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KSD882YS_null
KSD882YS
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 3A TO-126
+1：

￥1.885431

+200：

￥0.729687

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￥0.704013

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￥0.691389

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 1A, 2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 90MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
KSD882YS_双极性晶体管
KSD882YS
ON(安森美)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 1A, 2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 90MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

KSD882YS_双极性晶体管
KSD882YS
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥4.735558

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￥3.724563

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￥2.873215

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￥2.607184

+4000：

￥2.447662

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 1A, 2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 90MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

KSD882YS_双极性晶体管
KSD882YS
ON Semiconductor
授权代理品牌
+1000：

￥1.574486

+5000：

￥1.552491

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 1A, 2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 90MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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KSD882YS_双极性晶体管
KSD882YS
ON(安森美)
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￥3.791813

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￥3.223041

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￥2.406718

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￥1.891031

+1000：

￥1.461257

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 1A, 2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 90MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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KSD882YS_双极性晶体管
KSD882YS
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥9.275778

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￥7.884412

+100：

￥5.887469

+500：

￥4.625964

+1000：

￥3.574619

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 1A, 2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 90MHz

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

KSD882YS_未分类
KSD882YS
ON Semiconductor
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 3A TO126-3

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未分类
+1504：

￥2.650223

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-225AA, TO-126-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 500mV @ 200mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 160 @ 1A, 2V

Frequency - Transition： 90MHz

Supplier Device Package： TO-126-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 3 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 30 V

Power - Max： 1 W

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
KSD882YS_未分类
KSD882YS
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 3A TO-126

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未分类
+1：

￥8.757222

+10：

￥8.708571

+100：

￥6.081405

+500：

￥4.751604

+1000：

￥3.973184

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Bulk

標準包裝數量： 2000

艾睿
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KSD882YS_未分类
KSD882YS
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

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未分类
+1：

￥8.216801

+10：

￥6.922718

+100：

￥5.111001

+500：

￥3.980249

+1000：

￥2.255223

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
KSD882YS_未分类
KSD882YS
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

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未分类
+2000：

￥2.148429

库存： 0

货期：7~10 天

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KSD882YS参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 160 1A, 2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 90MHz
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装: TO-126-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)