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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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KSC1008YBU 授权代理品牌 | +10000: ¥0.446952 +20000: ¥0.436288 +30000: ¥0.430471 +50000: ¥0.422714 +100000: ¥0.407203 | 暂无参数 |
KSC1008YBU参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | Bulk |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 700 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 60 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 400mV 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 100nA (ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 120 50mA, 2V |
功率 - 最大值: | 800 mW |
频率 - 跃迁: | 50MHz |
工作温度: | 150°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
封装/外壳: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装: | TO-92-3 |
温度: | 150°C (TJ) |