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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSC1008YBU_未分类
KSC1008YBU
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

未分类

+1:

¥1.532549

+10:

¥1.240026

+30:

¥1.114691

+100:

¥0.958321

+500:

¥0.888715

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 700 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 50mA, 2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 50MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92-3

温度: 150°C (TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSC1008YBU_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

双极性晶体管

+1:

¥2.200769

+10:

¥1.627411

+100:

¥0.92027

+500:

¥0.609614

+1000:

¥0.467374

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 700 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 50mA, 2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 50MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92-3

温度: 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSC1008YBU_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

双极性晶体管

+1:

¥5.383664

+10:

¥3.981078

+100:

¥2.251222

+500:

¥1.491276

+1000:

¥1.143321

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 700 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 50mA, 2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 50MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92-3

温度: 150°C (TJ)

Mouser
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KSC1008YBU_晶体管
KSC1008YBU
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

晶体管

+1:

¥6.333936

+10:

¥4.433755

+100:

¥1.754013

+1000:

¥1.234306

+2500:

¥1.104378

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Bulk

封装/外壳: TO-92-3

系列: KSC1008

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: Through Hole

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V

集电极—基极电压 VCBO: 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 8 V

集电极—射极饱和电压: 200 mV

最大直流电集电极电流: 700 mA

Pd-功率耗散: 800 mW

增益带宽产品fT: 50 MHz

商标: onsemi / Fairchild

集电极连续电流: 0.7 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 40

直流电流增益 hFE 最大值: 400

高度: 4.7 mm

长度: 4.7 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

宽度: 3.93 mm

零件号别名: KSC1008YBU_NL

单位重量: 179 mg

温度: -~+ 150 C

艾睿
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KSC1008YBU_未分类
KSC1008YBU
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag

未分类

+10000:

¥0.566834

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
KSC1008YBU_未分类
KSC1008YBU
授权代理品牌
+10000:

¥0.446952

+20000:

¥0.436288

+30000:

¥0.430471

+50000:

¥0.422714

+100000:

¥0.407203

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

KSC1008YBU参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 700 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 50mA, 2V
功率 - 最大值: 800 mW
频率 - 跃迁: 50MHz
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装: TO-92-3
温度: 150°C (TJ)