品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10mV

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10mV

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10mV

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1V @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 10nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 150mA, 10mV

Frequency - Transition： 300MHz

Supplier Device Package： TO-92-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 600 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 40 V

Power - Max： 625 mW