品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 250 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 200µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 300mA，10V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 10MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： D-Pak

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 250 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 200µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 300mA，10V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 10MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： D-Pak

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-252-3

系列： KSH47

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 250 V

集电极—基极电压 VCBO： 350 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 1 V

最大直流电集电极电流： 1 A

Pd-功率耗散： 15 W

增益带宽产品fT： 10 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 30

直流电流增益 hFE 最大值： 150

高度： 2.3 mm

长度： 6.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 6.1 mm

单位重量： 260.370 mg

温度： -~+ 150 C