品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 200 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA, 20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA, 10V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 200 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA, 20mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 30mA, 10V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： TO-92-3

系列： KSP43

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 200 V

集电极—基极电压 VCBO： 200 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 500 mV

最大直流电集电极电流： 500 mA

Pd-功率耗散： 625 mW

增益带宽产品fT： 50 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 0.5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 40

高度： 4.7 mm

长度： 4.7 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 3.93 mm

单位重量： 200 mg

温度： -~+ 150 C