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搜索 KSC5026MOS 共 10 条相关记录
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KSC5026MOS_双极性晶体管
KSC5026MOS
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 800V 1.5A TO-126

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双极性晶体管
+1：

￥11.470921

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￥9.559121

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￥7.6472

+100：

￥6.372707

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 150mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 100mA，5V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

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KSC5026MOS_未分类
KSC5026MOS
ON(安森美)
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TRANS NPN 800V 1.5A TO-126

未分类
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￥1.22884

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 150mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 100mA，5V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

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KSC5026MOS_双极性晶体管
KSC5026MOS
ON(安森美)
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TRANS NPN 800V 1.5A TO-126

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双极性晶体管
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￥60.696594

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￥59.650101

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 150mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 100mA，5V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

KSC5026MOS_双极性晶体管
KSC5026MOS
ON(安森美)
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TRANS NPN 800V 1.5A TO-126

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双极性晶体管
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￥5.651062

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￥5.556832

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库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 150mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 100mA，5V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

KSC5026MOS_双极性晶体管
KSC5026MOS
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TRANS NPN 800V 1.5A TO-126

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双极性晶体管
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￥13.065188

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￥12.086994

库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 150mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 100mA，5V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

Digi-Key
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KSC5026MOS_双极性晶体管
KSC5026MOS
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TRANS NPN 800V 1.5A TO-126

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双极性晶体管
+1：

￥14.227731

+10：

￥11.703456

+100：

￥9.101159

+500：

￥7.714797

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￥6.284528

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 150mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 100mA，5V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

Mouser
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KSC5026MOS
ON(安森美)
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TRANS NPN 800V 1.5A TO-126

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未分类
+1：

￥15.422091

+10：

￥12.669332

+100：

￥9.85024

+500：

￥8.357779

+1000：

￥6.798986

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Bulk

標準包裝數量： 2000

艾睿
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KSC5026MOS_未分类
KSC5026MOS
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

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未分类
+2000：

￥8.494187

+2500：

￥8.458589

+3000：

￥8.422991

+4000：

￥8.38739

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￥8.350245

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KSC5026MOS
onsemi(安森美)
授权代理品牌

KSC Series NPN 20 W 800 V 1.5 A Silicon Transistor - TO-126-3

未分类
+2000：

￥4.18808

+4000：

￥4.138221

+6000：

￥4.088363

+8000：

￥4.038505

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￥3.938788

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KSC5026MOS_未分类
KSC5026MOS
onsemi(安森美)
授权代理品牌

TRANSISTOR, NPN, 800V, 1.5A, TO-126-3

未分类
+1：

￥9.546219

+10：

￥7.849113

+100：

￥6.102094

+500：

￥5.178668

+1000：

￥4.117977

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货期：7~10 天

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KSC5026MOS参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1.5 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 800 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 2V 150mA，750mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 20 100mA，5V
功率 - 最大值: 20 W
频率 - 跃迁: 15MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装: TO-126-3
温度: 150°C（TJ）