品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 7 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 500mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 3A，1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 7 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 500mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 3A，1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3 Full Pack

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 500mV @ 500mA, 5A

Current - Collector Cutoff (Max)： 10µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 3A, 1V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-220F-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 7 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 2 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220F-3

系列： KSD1588

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 60 V

集电极—基极电压 VCBO： 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 7 V

集电极—射极饱和电压： 500 mV

最大直流电集电极电流： 7 A

Pd-功率耗散： 30 W

增益带宽产品fT： -

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 7 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 40

直流电流增益 hFE 最大值： 200

高度： 9.19 mm

长度： 10.16 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 4.7 mm

单位重量： 2.270 g

温度： -~+ 150 C