品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 2A, 1V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 160 2A, 1V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-225AA, TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C (TJ)

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-225AA, TO-126-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 200mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 10µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 160 @ 2A, 1V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-126-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 1.3 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-126-3

系列： KSB1151

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 60 V

集电极—基极电压 VCBO： - 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 7 V

集电极—射极饱和电压： - 140 mV

最大直流电集电极电流： - 5 A

Pd-功率耗散： 20 W

增益带宽产品fT： -

商标： onsemi / Fairchild

直流电流增益 hFE 最大值： 400

高度： 1.5 mm

长度： 8 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 3.25 mm

零件号别名： KSB1151YSTU_NL

单位重量： 761 mg

温度： -~+ 150 C