品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 1.5mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 4000 1.5A，2V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 1.5mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 4000 1.5A，2V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 1.5mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 4000 1.5A，2V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装： TO-126-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： TO-126

系列： KSD1692

产品种类： 达林顿晶体管

配置： Single

晶体管极性： NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 8 V

集电极—基极电压 VCBO： 150 V

最大直流电集电极电流： 3 A

最大集电极截止电流： 10 uA

Pd-功率耗散： 15 W

安装风格： Through Hole

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 4000

高度： 11 mm

长度： 8 mm

产品类型： Darlington Transistors

宽度： 3.25 mm

单位重量： 761 mg

温度： - 55 C~+ 150 C