品牌： onsemi

包装： Tape & Box (TB),Cut Tape (CT)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 100mA, 5V

功率 - 最大值： 900 mW

频率 - 跃迁： 120MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C (TJ)

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1V @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 100mA, 5V

Frequency - Transition： 120MHz

Supplier Device Package： TO-92-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 800 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 120 V

Power - Max： 900 mW