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KSC5027OTU_双极性晶体管
KSC5027OTU
ON(安森美)
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TRANS NPN 800V 3A TO220-3

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双极性晶体管
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￥20.444281

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￥13.62944

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￥11.357907

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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 300mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 200mA，5V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C（TJ）

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KSC5027OTU
ON(安森美)
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品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 300mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 200mA，5V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C（TJ）

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KSC5027OTU
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品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 300mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 200mA，5V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C（TJ）

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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 300mA, 1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 200mA, 5V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

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KSC5027OTU
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双极性晶体管
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￥5.357833

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￥4.546065

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 300mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 200mA，5V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

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双极性晶体管
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￥23.443072

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￥11.12088

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 300mA，1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 200mA，5V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C（TJ）

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1+:

需询价

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品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 800 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 2V 300mA, 1.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 200mA, 5V

功率 - 最大值： 50 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： 150°C (TJ)

Mouser
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KSC5027OTU
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 800V 3A TO220-3

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+1：

￥26.635427

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￥22.223424

+100：

￥17.648015

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￥16.340753

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￥14.821064

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品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： KSC5027

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 800 V

集电极—基极电压 VCBO： 1.1 kV

发射极 - 基极电压 VEBO： 7 V

集电极—射极饱和电压： 2 V

最大直流电集电极电流： 3 A

Pd-功率耗散： 50 W

增益带宽产品fT： 15 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 3 A

高度： 9.2 mm

长度： 9.9 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 4.5 mm

零件号别名： KSC5027OTU_NL

单位重量： 1.800 g

温度： -~+ 150 C

KSC5027OTU_未分类
KSC5027OTU
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

雙極結晶體管 - BJT

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艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
KSC5027OTU_未分类
KSC5027OTU
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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未分类
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￥25.037397

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￥19.582949

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￥15.659493

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￥15.498748

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￥13.627535

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KSC5027OTU参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 800 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 2V 300mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）: 10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 20 200mA，5V
功率 - 最大值: 50 W
频率 - 跃迁: 15MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
温度: 150°C（TJ）