品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 150 500mA，5V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 150 500mA，5V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 150 500mA，5V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220F-3

系列： KSD2012

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 60 V

集电极—基极电压 VCBO： 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 7 V

集电极—射极饱和电压： 400 mV

最大直流电集电极电流： 3 A

Pd-功率耗散： 25 W

增益带宽产品fT： 3 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 3 A

直流电流增益 hFE 最大值： 320

高度： 9.19 mm

长度： 10.16 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 4.7 mm

单位重量： 2.270 g

温度： -~+ 150 C