品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 0V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 125°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 0V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 125°C（TJ）