品牌： onsemi

包装： 带盒（TB）,剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1mA，6V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1mA, 6V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Ammo Pack

封装/外壳： TO-92-3 Kinked Lead

系列： KSA992

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 120 V

集电极—基极电压 VCBO： - 120 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 90 mV

最大直流电集电极电流： - 50 mA

Pd-功率耗散： 500 mW

增益带宽产品fT： 100 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： - 0.05 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 200

直流电流增益 hFE 最大值： 800

高度： 4.7 mm

长度： 4.7 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 3.93 mm

零件号别名： KSA992FTA_NL

单位重量： 240 mg

温度： -~+ 150 C